7 月 14 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間本月 9 日報道稱，SK 海力士為應(yīng)對先進存儲器晶圓厚度的不斷降低，考慮導(dǎo)入飛秒激光等先進晶圓切割技術(shù)。OSm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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據(jù)悉 SK 海力士目前使用的主要晶圓切割技術(shù)包括機械刀片切割（采用金剛石砂輪）、隱形切割（內(nèi)部創(chuàng)造裂隙），但分別只能適應(yīng)厚度在 100μm 及以上、50μm 左右的晶圓。OSm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

而先進存儲器的晶圓厚度目前正在進一步降低，尤其是在需要多層堆疊且堆棧總高有限的先進 HBM 內(nèi)存和需要混合鍵合連接存儲單元與外圍電路的未來 400+ 層 NAND 中。OSm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

報道指出，SK 海力士正與激光設(shè)備合作伙伴共同探索新的晶圓切割設(shè)備聯(lián)合評估項目。該企業(yè)已與部分合作伙伴展開技術(shù)測試，探索多種可能的技術(shù)路線，包括預(yù)開槽和直接完全利用激光分離等備選方案。OSm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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