快科技8月10日消息,據報道,三星計劃重新推出其Z-NAND存儲技術,目標性能比傳統NAND閃存提升高達15倍,同時功耗降低80%。
此外,三星還開發了一種名為“GPU-Initiated Direct Storage Access(GIDS)”的新技術,允許GPU直接訪問Z-NAND存儲設備,類似于微軟的DirectStorage API。
三星的Z-NAND技術初于2010年代中期推出,目標是與英特爾3D XPoint Optane存儲技術競爭。兩者都引入了一種新型固態存儲,其性能接近DRAM,系統延遲遠低于傳統SSD。
與英特爾的3D XPoint Optane不同,三星的第一代Z-NAND本質上是加速版的NAND SLC SSD。
其基于改進的V-NAND設計,采用48層結構,以單層單元(SLC)模式運行,其關鍵改進是將頁面大小減小至2-4KB,從而實現更快的數據讀寫速度和更低的系統延遲。
當時,基于英特爾Optane和三星Z-NAND的驅動器速度比傳統SSD快6-10倍,如果三星的下一代Z-NAND達到預期目標,其性能將比當前的NVMe SSD高出15倍。
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