8 月 10 日消息,三星電子 2018 年曾推出對標英特爾 3D XPoint 傲騰的高端 NAND Flash 產品“Z-NAND”,但因市場性不足未推出后續(xù)產品。
隨著 AI 浪潮的到來,三星在本周舉行的內存與存儲大會上宣布將重新開發(fā) Z-NAND 產品,并設定了最高 15 倍(相比現(xiàn)有 NAND 閃存)的性能目標。
三星半導體存儲業(yè)務執(zhí)行副總裁表示,與傳統(tǒng) NAND 閃存相比,新一代 Z-NAND 的目標是性能提升最高 15 倍,同時功耗降低最多 80%。該技術將針對 AI 應用,尤其是 AI GPU 進行優(yōu)化,重點在于進一步降低延遲。
為此,三星引入了一種可讓 GPU 直接訪問 Z-NAND 數(shù)據(jù)的新技術,其原理與微軟的 DirectStorage API 類似,命名為 GPU-Initiated Direct Storage Access(GIDS)。
作為對標英特爾 Optane 的產品,三星 Z-NAND 同樣采用了介于傳統(tǒng) DRAM 與 SSD 之間的新型固態(tài)存儲層,具有更低的系統(tǒng)延遲和更高性能。
不同于基于全新架構的 3D XPoint,三星當時推出的 Z-NAND 本質上只是經過加速優(yōu)化的 SLC NAND SSD,采用改良的 48 層 V-NAND 并以 SLC 模式運行。其一大改進是將頁大小縮小至 2–4 KB,從而能以更小的數(shù)據(jù)塊進行讀寫,降低延遲(而普通 SSD 通常采用 8–16 KB 頁大小)。
在當時,英特爾 Optane 和三星 Z-NAND 產品比傳統(tǒng) SSD 快約 6–10 倍。如果三星的新一代技術實現(xiàn)既定目標,其性能將達到當前 NVMe SSD 的 15 倍,后續(xù)將保持關注,敬請期待。
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