快科技6月2日消息,據媒體報道,Intel將與軟銀合作,共同開發一種可取代HBM內存的堆疊式DRAM解決方案。
雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司,將基于英特爾的技術和東京大學等日本學術界的專利,共同打造原型產品。
該合作的目標是在2027年前完成原型設計,并評估量產可行性,力爭在2030年前實現商業化。
目前大多數AI處理器都使用HBM芯片,這類芯片非常適合暫存處理的大量數據,但由于其制造工藝復雜、成本高昂,且容易過熱、耗電量大,限制了其廣泛應用。
雙方計劃通過堆疊DRAM芯片并優化連接方式,新方案有望實現至少大一倍的存儲容量,同時將耗電量減少40%,并大幅降低成本。
軟銀將成為新公司的大股東,出資約30億日元,公司計劃初期研發經費約150億日元,如果這項技術成功,軟銀希望優先獲得供應權。
由于AI芯片需求旺盛,HBM供應持續緊張,Saimemory希望通過這種替代產品,搶占至少日本數據中心的市場份額,此外這也是日本20多年來首次嘗試重返內存芯片主要供應國之列。
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