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中國技術再次實現突破!全球先進的3D NAND存儲芯片被發現

來源: 責編: 時間:2023-10-26 17:09:59 345觀看
導讀 快科技10月25日消息,知名半導體行業觀察機構TechInsights稱,在一款消費電子產品中發現了世界上先進的3D NAND存儲芯片,它來自中國頂級的3D NAND制造商長江存儲。據悉,TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發

快科技10月25日消息,知名半導體行業觀察機構TechInsights稱,在一款消費電子產品中發現了世界上先進的3D NAND存儲芯片,它來自中國頂級的3D NAND制造商長江存儲。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

據悉,TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發現了由長江存儲制造的232層QLC 3D NAND芯片,這種新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產品中高的比特密度。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

本次的發現,超越了同樣在開發232層QLC 3D NAND芯片的美光和英特爾(Solidigm)。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

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TechInsights表示,盡管受到制裁后困難重重——包括該公司受限于向蘋果供應基于中國生產的iPhone零部件,以及被列入美國的實體名單, 但長江存儲仍在靜靜地開發先進的技術。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

近期存儲市場的低迷,以及許多內存制造商專注于節省成本的舉措,可能為長江存儲提供了機遇,使其具有領先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

值得注意的是,三星目前的戰略是專注于V9 3D NAND的TLC和QLC,因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發QLC。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

但是,三星在上周舉行的“內存技術日”上,首次公開了面向移動市場的QLC產品——采用176層(V7)技術的512GB UFS 3.1產品。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

SK海力士的主要業務是TLC,而不是QLC產品。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

越來越多的證據表明,中國正在努力克服貿易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

此前,TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機構,在拆解完之后,TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價:34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

“這確實是一個令人驚嘆的質量水平,是我們始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我們要祝賀中國,能夠制造出這樣的產品。這意味中國擁有非常強大的能力,而且還在繼續發展技術。”34k28資訊網——每日最新資訊28at.com

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