6月安卓手機性價比榜：Note 12 Turbo斷層式碾壓
6月份有一個618，雖然這是京東周年慶的日子，但別的電商也都不約而同的跟進了，反正促銷沒壞處，廠商和用戶都能滿意。618期間一些產(chǎn)品也出現(xiàn)了歷史低價，那么各個價位段的產(chǎn)品性價比
快科技3月14日消息，近日，一年一度的CFMS | MemoryS 2025存儲峰會在深圳舉辦，盛況空前，無論是參展廠商、展示產(chǎn)品技術、與會觀眾的規(guī)模都創(chuàng)下歷史新高，演講會場和展示交流區(qū)實在都是人山人海、比肩接踵。
峰會期間，三星電子、長江存儲、鎧俠、美光、閃迪、高通、Arm、慧榮科技、Solidigm、Intel、江波龍、群聯(lián)電子、聯(lián)蕓科技、宜鼎國際、平頭哥半導體、騰訊云、憶恒創(chuàng)源、大普微、小鵬汽車、FADU等眾多行業(yè)企業(yè)，都帶來了新的產(chǎn)品技術，并分享了對行業(yè)趨勢的新觀點。
從本屆峰會來看，大容量存儲、AI服務器和終端、QLC閃存普及、PCIe 5.0迅速增長和PCIe 6.0嶄露頭角，成為四大顯著趨勢。
峰會上，CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒先生以《存儲格局 價值重塑》為主題，發(fā)表了開場演講。
邰煒表示，存儲正成為支撐AI算力落地的關鍵底座，發(fā)展勢頭良好，2024年全球存儲行業(yè)總收入達到了1670億美元的歷史新高。
其中，NAND閃存市場規(guī)模達到696億美元，總容量8330億GB，DRAM市場規(guī)模則是973億美元，總容量2500億Gb。2025年NAND Flash和DRAM bit容量需求較2024年分別增長12%和15%。，
大容量需求的刺激下，QLC時代已經(jīng)提前到來，2024年甚至出現(xiàn)了供不應求的情況。
CFM閃存市場預計，QLC將占到2025年整個閃存產(chǎn)能的接近20％，其中超過45％的用于服務器，在手機端也會開始搭載512GB甚至1TB容量QLC UFS。
本次峰會上，長江存儲首次公開了全新的晶棧®4.0架構，同時適用于TLC、QLC，包括X4-9060(512Gb TLC)、X4-9070(1Tb TLC)、X4-6080(2Tb QLC)三款產(chǎn)品。
其中，晶棧®4.0 QLC版本的存儲密度提升了42％，單Die容量2Tb，單盤可以輕松做到4TB，同時IO速度提升50％、吞吐量提升147％、耐久度提升33％。
Solidigm透露，企業(yè)級QLC SSD正迎來空前的新機遇，2018年以來，Solidigm已累計出貨QLC SSD產(chǎn)品的容量超過了100EB，包括P5430、P5336等不同型號，尤其是P5336的大容量首次達到122TB。
憶恒創(chuàng)源表示，旗下PBlaze7 7940系列PCIe 5.0 SSD累計出貨量已經(jīng)超過30萬塊，去年還推出了新一代PBlaze7 7A40，繼續(xù)支持PCIe 5.0，首次采用平頭哥半導體的鎮(zhèn)岳510主控，搭配長江存儲閃存，打造國產(chǎn)化“絕代雙驕”。
鎧俠去年推出了CBA雙晶圓鍵合架構、第八代閃存BiCS8，近又宣布了第九代BiCS9、第十代BiCS10，首次分為兩個發(fā)展方向。
其中，BiCS9的存儲陣列采用折舊產(chǎn)線生產(chǎn)，搭配新的CMOS制程，IO速度達到4800MT/s，可支持PCIe 6.0。
BiCS10采用更先進的存儲陣列，實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)、存儲密度，以及更高的性能，IO速度也是4800MT/s，但是存儲密度提升超過59％而高達每平方毫米29Gb，可支持未來的PCIe 6.0和PCIe 7.0。
鎧俠預計，PCIe 6.0 SSD的樣品將在2025年開始出現(xiàn)，2026年開始部署，但是大規(guī)模升級還要再等兩年，畢竟現(xiàn)在很多客戶還沒有完全導入PCIe 5.0。
PCIe 7.0 SSD的樣品則將于2028年出現(xiàn)，2029年開始部署，整體節(jié)奏還是相當快的。
CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2025年服務器市場規(guī)模將繼續(xù)增長至1330萬臺，其中AI服務器占比達到14％，2026年繼續(xù)增至18％，進一步推高服務器的存儲等各項配置。
目前，32TB的企業(yè)級SSD已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)并鋪開，64TB、128TB的需求也在快速增加。
PCIe 5.0 SSD同樣會加速普及，預計今年占比可達30％左右，明年增至50％左右。
同時在AI PC、AI手機領域，終端設備對存儲容量的需求也即將顯著增加，需求非常旺盛。
CFM閃存市場的預測數(shù)據(jù)顯示，AI手機的占比將從2024年的10％左右，迅速增長至2025年的30％左右、2026年進一步增長至50％左右。
美光則預計，今年有43％的PC具備AI能力，到2028年這一比例將上升至64％，而未來的AI PC將需要比當前多80％的內(nèi)存和存儲容量，而AI手機市場今年有望大漲73.1％。
此外，DeepSeek的出現(xiàn)，在讓AI普惠化、人人可體驗的同時，也進一步刺激了對存儲的需求上揚。
為推動閃存存儲密度、容量、性能的進一步提升，滿足市場需求，各家廠商在穩(wěn)住價格、保證利潤的前提下，普遍開始向更先進的制程工藝、封裝技術進發(fā)。
這包括1c納米、1γ工藝節(jié)點，以及300+層堆疊，比如三星的286層/400+層、美光的232層/276層、鎧俠的218層/332層、SK海力士的321層、鎧俠/閃迪的218層。
2025年一季度作為消費淡季，DRAM和NAND的價格已經(jīng)全面下跌，但是在市場需求看漲、先進技術投入的情況下，整體大幅供過于求的現(xiàn)狀正在發(fā)生改善，現(xiàn)貨市場價格明顯止跌，預計NAND產(chǎn)品的價格將在第二季度趨于穩(wěn)定，第三季度開始整體回升。
事實上，閃迪、美光、三星、SK海力士、長江存儲等眾多原廠，都已經(jīng)釋放了漲價信號，幅度普遍超過10％。
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