鴻蒙OS 4.0公測機型公布：甚至連nova6都支持
華為全新的HarmonyOS 4.0操作系統將于今天下午正式登場，官方在發(fā)布會之前也已經正式給出了可升級的機型產品，這意味著這些機型會率先支持升級享用。這次的HarmonyOS 4.0支持
1.蘋果因5G專利違約遭5G IP Holdings LLC提起訴訟
2.中芯國際公開制造新專利：能夠提高半導體結構性能
3.華為公布“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”專利
4.汽車行業(yè)首創(chuàng)？廣汽AI大模型平臺發(fā)布率先落地智能語音交互場景
5.LK-99半懸浮不是因為超導性？北大、國科大等發(fā)表論文
1.蘋果因5G專利違約遭5G IP Holdings LLC提起訴訟
集微網消息，據ISP Today報道，與專利主張公司IPValue有關的一家控股公司5G IP Holdings LLC已對蘋果公司提起訴訟，聲稱該公司違反了在標準必要的5G技術公平許可談判方面的義務，這些技術被用于多款iPhone和iPad中。
根據訴訟內容，蘋果的設備侵犯了總部位于達拉斯的5G IP Holdings LLC擁有的專利。涉及到包括美國專利編號為10,624,150；10,813,163；以及10,531,385的具體專利。
訴訟顯示，上述專利最初歸屬于FG Innovation Co.。據稱，FG Innovation Co.將這些專利視為“對5G標準至關重要”。
此案在美國加利福尼亞州北部地區(qū)聯邦地區(qū)法院提起。盡管訴訟的具體細節(jié)尚未公開，但顯然5G IP Holdings LLC正在尋求對蘋果提起法律訴訟，指控其在有關在產品中使用標準必要的5G技術的公平許可談判方面存在違約行為。
報道稱，目前尚不清楚這起訴訟將如何進展，以及它將對蘋果在其設備中持續(xù)開發(fā)和使用5G技術產生何種影響。
2.中芯國際公開制造新專利：能夠提高半導體結構性能
集微網消息，天眼查顯示，近日，中芯國際新增多條專利信息，其中一條發(fā)明專利名稱為“半導體結構及其形成方法、以及晶圓切割方法”，公開號為CN116544214A。
專利摘要顯示，本發(fā)明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法、以及晶圓切割方法，具體形成方法包括：提供基底，所述基底包括切割道區(qū)，在所述切割道區(qū)中，所述基底頂部形成有互連結構，且最頂層的互連結構為頂部互連結構；在所述頂部互連結構的頂部形成多個分立的緩沖互連結構，多個所述緩沖互連結構沿相對應頂部互連結構的延伸方向排布，所述緩沖互連結構與所述頂部互連結構相電連接。由于多個緩沖互連結構呈分段式，即相鄰緩沖互連結構之間具有空間間隔，所述緩沖互連結構產生的拉伸應力的連續(xù)性被阻斷，并且產生的拉伸應力較小，降低了所述緩沖互連結構與切割道區(qū)周圍的各個膜層結構（例如：密封環(huán)）相短接的概率，從而提高了所述半導體結構的性能。
中芯國際在專利說明書中指出，在半導體芯片封裝工藝中，需要對芯片進行切割，切割過程在切割道中進行。切割的機械力可能導致邊緣處形成微小裂痕，尤其是接近邊角處。所形成的裂痕可能會朝向集成電路的中心電路區(qū)域推進而造成其中的電路區(qū)域毀壞。為了保護電路區(qū)域，一般會在集成電路芯片上介于電路區(qū)域以及其切割道之間，配置芯片密封環(huán)(seal ring)，傳統的密封環(huán)一般采用多層金屬層疊加，通常為雙密封環(huán)(內外共兩圈)或單密封環(huán)(僅一圈)。芯片密封環(huán)可以防止任何裂痕侵入集成電路內部的電路區(qū)域。然而，隨著芯片尺寸的變小，芯片與芯片間的切割道尺寸也逐步縮小，切割道尺寸的縮小給后段的切割(die saw)工藝帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)。
3.華為公布“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”專利
集微網消息，天眼查顯示，近日華為技術有限公司新增多條專利信息，其中一條發(fā)明專利名稱為“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”，公開號為CN116504752A。
圖片來源：天眼查
摘要顯示，本申請實施例提供一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備，用于簡化芯片堆疊結構制備工藝，涉及芯片技術領域。該芯片堆疊結構包括：至少兩個堆疊設置的芯片，每個芯片包括布線層，布線層中設置有導電結構；其中，至少兩個堆疊設置的芯片包括：堆疊設置的第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片之間通過鍵合層電連接；鍵合層包括第一區(qū)域、環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，以及除第一區(qū)域和第二區(qū)域以外的第三區(qū)域，鍵合層的第一區(qū)域在第一芯片中的布線層上的投影與第一芯片的布線層中的導電結構至少部分重合；鍵合層的第一區(qū)域和第三區(qū)域中設置有金屬鍵合層。
說明書中提到，該專利涉及的技術領域為芯片技術領域，尤其涉及一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備，該技術將被用于簡化芯片堆疊結構制備工藝。
4.汽車行業(yè)首創(chuàng)？廣汽AI大模型平臺發(fā)布率先落地智能語音交互場景
集微網消息，8月8日，廣汽宣布正式推出AI大模型技術的最新研發(fā)成果——廣汽AI大模型平臺。
廣汽研究院消息稱，該平臺是汽車行業(yè)首創(chuàng)的大模型平臺技術，將在近期搭載于高端智能轎跑昊鉑GT亮相。廣汽AI大模型平臺以海量的用車和研發(fā)數據集為基礎，將結構化數據匯聚到AI中臺，通過中臺訓練形成多種特定場景模型；平臺可以根據應用需要，靈活調用多個模型，從而獲得最優(yōu)的推理結果，讓應用服務精準、高效運行。
目前，廣汽AI大模型平臺在不斷測試與迭代中，將率先落地智能語音交互場景。廣汽官方消息顯示，廣汽AI大模型平臺，不僅智能座艙的體驗將被顛覆，廣汽AI大模型平臺還將賦能智能駕駛。廣汽AI大模型平臺的應用將進一步提高智能駕駛的感知能力，提升智能駕駛的安全性和可靠性。除了智能汽車本身，廣汽AI大模型平臺還將帶來智能網聯全鏈路的升級。大模型平臺應用到正向研發(fā)領域，將促進軟件開發(fā)、虛擬驗證、仿真測試等環(huán)節(jié)的效率，加快智能汽車迭代升級。在數字化領域，大模型將提升多模態(tài)數據的挖掘能力和效率等。
廣汽研究院消息，廣汽研究院將基于自身在人工智能和智能網聯領域的積累，聯合星河智聯、科大訊飛等業(yè)內頂尖合作伙伴，持續(xù)聚合行業(yè)先進的大模型解決方案，不斷研發(fā)和豐富專用模型。（校對/趙碧瑩）
5.LK-99半懸浮不是因為超導性？北大、國科大等發(fā)表論文
集微網消息，8月8日，來自北京大學、中國科學院大學等機構的研究人員發(fā)表論文稱，LK-99表現出的是鐵磁性半懸浮現象，不具超導性。
該論文指出，研究者采用固相燒結方法合成了多晶LK-99樣陶瓷樣品。粉末X射線衍射顯示，主要成分為Pb10?xCux(PO4)6O和Cu2S，與最近的報告一致。在一些小而薄片狀的碎片中，成功地觀察到在Nd2Fe14B磁鐵上的“半懸浮”現象。通過對這些小片以及一個未展示半懸浮現象的大塊的磁化測量，表明樣品普遍包含微弱但明確的軟鐵磁組分。研究者認為，結合小碎片明顯的形狀各向異性，這種軟鐵磁性足以解釋在強烈的垂直磁場中觀察到的半懸浮現象。我們的測量結果沒有顯示出邁斯納效應的存在，也沒有零電阻現象，在我們的樣品中，這使我們認為樣品不具備超導性。
近日，韓國科學家聲稱在Pb10?xCux(PO4)6O，也被稱為“LK-99”發(fā)現了在室溫和常壓下的超導性。LK-99的制備過程非常簡單。這引發(fā)了一系列試圖復現實驗結果并理解這類材料的嘗試。
論文指出，迄今為止報告的一個關鍵實驗指標是在常壓下由永磁體產生的強烈垂直磁場中觀察到樣品的半懸浮現象。值得注意的是，這樣的觀察已經被獨立的研究人員成功地再現。雖然這種觀察表明在部分懸浮樣品中存在室溫邁斯納效應，但半懸浮只能被認為是“半懸浮”，因為樣品的部分仍與支撐表面接觸。事實上，超導體最重要的兩個性質，邁斯納效應和零電阻，在定量測量中尚未得到充分證明和再現，這增加了將LK-99驗證為真正的室溫超導體的不確定性。
論文強調，在這項工作中，我們成功合成了多晶LK-99樣樣品，并在一些小碎片中觀察到磁性半懸浮現象。我們在不同的樣品上進行的磁化測量顯示普遍存在軟鐵磁組分，其特征是磁場相關磁化中的小磁滯回線。我們將半懸浮歸因于樣品對強外部磁場的鐵磁響應。此外，我們樣品的電阻沒有顯示出任何先前研究中報道的超導性跡象?？紤]到我們觀察到的鐵磁組分和半導體性質，我們認為LK-99中存在室溫超導性仍然需要經過嚴格的驗證。（校對/姜羽桐）
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