快科技2月12日消息,據韓國媒體報道,三星電子正在重新調整其第六代1cnm DRAM的設計,以提升良品率,確保其HBM4內存的量產。
三星的1cnm DRAM自開發(fā)以來一直面臨良品率問題,2024年末的試產并未達到預期效果,大規(guī)模生產準備階段的良品率通常在60%至70%左右。
為了提升良品率,三星決定調整設計,核心電路線寬保持不變,而外圍電路線寬的要求則被放松,這一調整預計將顯著提升良品率,確保HBM4內存的穩(wěn)定量產。
三星的目標是在2025年6月開始量產1cnm DRAM,為HBM4的生產鋪平道路,HBM4內存是三星未來內存業(yè)務的重要組成部分,因此確保1cnm DRAM的良品率對于三星的競爭力至關重要。
競爭對手SK海力士預計快在2025年2月開始量產1cnm DRAM芯片,將成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。
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