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誓要提升良率！曝三星重新調整1cnm DRAM設計：確保HBM4量產

來源： 責編： 時間：2025-02-12 10:58:50 98觀看
導讀 快科技2月12日消息，據韓國媒體報道，三星電子正在重新調整其第六代1cnm DRAM的設計，以提升良品率，確保其HBM4內存的量產。三星的1cnm DRAM自開發以來一直面臨良品率問題，2024年末的試產并未達到預期效果，大規模生

快科技2月12日消息，據韓國媒體報道，三星電子正在重新調整其第六代1cnm DRAM的設計，以提升良品率，確保其HBM4內存的量產。3Hm28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星的1cnm DRAM自開發以來一直面臨良品率問題，2024年末的試產并未達到預期效果，大規模生產準備階段的良品率通常在60%至70%左右。3Hm28資訊網——每日最新資訊28at.com

為了提升良品率，三星決定調整設計，核心電路線寬保持不變，而外圍電路線寬的要求則被放松，這一調整預計將顯著提升良品率，確保HBM4內存的穩定量產。3Hm28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星的目標是在2025年6月開始量產1cnm DRAM，為HBM4的生產鋪平道路，HBM4內存是三星未來內存業務的重要組成部分，因此確保1cnm DRAM的良品率對于三星的競爭力至關重要。3Hm28資訊網——每日最新資訊28at.com

競爭對手SK海力士預計快在2025年2月開始量產1cnm DRAM芯片，將成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。3Hm28資訊網——每日最新資訊28at.com

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