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出口管制刺激自主水平!日本專業機構:中國半導體制造僅落后臺積電3年

來源: 責編: 時間:2024-08-26 16:33:43 138觀看
導讀 快科技8月26日消息,據日本媒體報道,日本專業半導體分析機構TechanaLye的社長清水洋治表示,中國的半導體制造能力不斷進步,僅落后于行業領導者臺積電三年。他還表示,美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術革新,

快科技8月26日消息,據日本媒體報道,日本專業半導體分析機構TechanaLye的社長清水洋治表示,中國的半導體制造能力不斷進步,僅落后于行業領導者臺積電三年。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

他還表示,美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術革新,但卻進一步刺激了中國半導體產業的自主生產腳步。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

TechanaLye在對華為智能手機處理器的分析中發現,華為旗下海思半導體設計的麒麟9010處理器采用國產7nm工藝。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

與臺積電5nm工藝代工的Kirin 9000在芯片面積和性能上差距不大,顯示出中國半導體邏輯制程的制造實力已經逼近國際先進水平。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

報告還指出,華為Pura 70 Pro手機中86%的半導體器件為中國制造,包括由海思半導體設計的14個主要半導體器件,以及其他中國廠商負責的18個。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

這一數據顯示,中國在半導體領域的自主研發和生產能力已經取得了顯著進步。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

清水洋治認為,美國管制主要針對AI等用途的服務器用先進半導體,而對于不構成軍事威脅的產品,美國可能會放寬限制。FfB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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