小米降噪藍牙耳機Necklace分享：聽一首歌 讀懂一個故事
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近日，英特爾前任首席執行官帕特·基辛格宣布加入了一家名為xLight的初創公司，擔任執行董事長一職。這一消息不僅得到了基辛格本人在LinkedIn上的確認，xLight官網也早在上個月就對外公布了這一重要人事變動。
xLight公司專注于極紫外（EUV）光刻機的研發，特別是基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統。該公司聲稱，其技術能夠將系統及運營成本降低三倍，并計劃在2028年實現商用，同時保持與現有設備的兼容性。
xLight的粒子加速器技術是其核心競爭力的關鍵所在。帕特·基辛格對此表示：“我們正站在自互聯網誕生以來計算基礎設施最具變革性的時刻。我期待著與xLight合作，推動下一代半導體制造。自由電子激光器是光刻技術的未來，而xLight無疑是粒子加速器技術領域的領導者。”
xLight的首席執行官Nicholas Kelez對基辛格的加入表示熱烈歡迎：“帕特·基辛格對半導體行業的技術理解和知識非常出色，他立即明白了xLight的系統對美國半導體制造業的未來有多么重要。我們很高興他加入我們的董事會，并期待我們的合作。”
目前，光刻機巨頭ASML所采用的EUV光源系統是基于激光等離子體EUV光源（LPP）的。這種技術通過高功率的二氧化碳激光器轟擊微小的錫滴，產生13.5nm波長的EUV光線。然而，LPP系統不僅龐大復雜，功耗巨大，而且產生的EUV光源功率有限，導致EUV光刻機成本高昂。全球僅有少數頭部晶圓制造廠商能夠使用這種單價高達約1.5億美元的EUV光刻機。
為了降低EUV光源系統的成本，美國、中國、日本等國家的研究機構都在研發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統。其中，基于自由電子激光器（FEL）技術的EUV光源方案被寄予厚望。這種技術主要分為振蕩器FEL和自放大自發輻射（SASE）FEL兩種類型。而SASE-FEL因其適用于短波長FEL，如EUV-FEL，成為目前研究的主要方向。
與LPP光源相比，基于能量回收直線加速器（ERL）的EUV-FEL光源具有多項優勢。它可以產生超過10kW的高EUV功率，且不會產生錫滴碎片，因此可以同時為多臺EUV光刻機提供高功率的EUV光源，而不會對反射鏡面造成錫污染。EUV-FEL光源的建設和運營成本也遠低于LPP光源。
xLight公司正是基于ERL的EUV-FEL技術路線研發EUV光源系統的。根據官網資料顯示，xLight由一支由光源先驅、光刻師和粒子加速器制造商組成的團隊領導。其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學技術獎（PAST獎）的獲獎者之一。
帕特·基辛格在加入xLight后表示，xLight研發的EUV光源系統功率達到了當今最先進EUV光源系統的四倍，即1000W左右，并計劃在2028年準備好用于商業化應用。這將為制造效率帶來重大飛躍，大幅降低每片晶圓的光刻成本，并減少資本和運營支出。
xLight的目標并不是取代ASML的EUV光刻工具，而是推出一個可以兼容ASML EUV光刻機的EUV-FEL光源系統。雖然目前尚不清楚xLight的EUV光源系統是否會兼容ASML的High NA EUV系統，但據現有信息來看，ASML的High NA EUV光刻機依然是基于EUV-LPP技術路徑，因此有望實現兼容。
xLight成立的使命是打造一種能夠徹底改變光刻、計量和檢測的光源。該公司利用美國在粒子加速器技術、基礎設施和知識方面的領導地位，正在快速開發和部署其獨特的EUV-FEL光源解決方案，以實現更經濟、更可持續的EUV光刻未來。在此基礎上，xLight設計了一個具有新功能的HVM（大批量制造）兼容系統，該系統可提供生產力和性能，從而推動尖端半導體制造業的持續進步。
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