為了進(jìn)一步加強(qiáng)在人工智能(AI)手機(jī)領(lǐng)域的布局,三星電子有望在2024年春季旗艦機(jī)Galaxy S24上首次搭載低延遲帶寬(Low Latency Wide IO;LLW)DRAM。消息透露,LLW DRAM將于2024年量產(chǎn),預(yù)計(jì)三星Galaxy S24計(jì)劃于同年第1季上市,因此有可能成為首款搭載這一創(chuàng)新技術(shù)的手機(jī)。
LLW DRAM采用增加輸入/輸出(I/O)端口數(shù)量的方式,提升了數(shù)據(jù)處理能力,相較于傳統(tǒng)移動(dòng)產(chǎn)品,其數(shù)據(jù)處理能力更為出色。此外,與一般DRAM相比,LLW DRAM電源使用效率提高了70%,使其成為智能終端(On-Device AI)技術(shù)的理想選擇。智能終端技術(shù)允許在終端設(shè)備上直接處理AI算法,實(shí)現(xiàn)更高效的AI功能,同時(shí)有助于確保手機(jī)等設(shè)備中的通話數(shù)據(jù)等個(gè)人資料的安全性。
在此之前,三星曾在2023年10月的Samsung Memory Tech Day 2023上提到LLW DRAM,并于2023年11月底透過(guò)社交媒體發(fā)布了LLW DRAM的介紹視頻,暗示其將在延展實(shí)境(XR)、手機(jī)、游戲、電腦等多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域得到應(yīng)用。
雖然三星尚未正式公布LLW DRAM的搭載時(shí)機(jī),但當(dāng)前情況顯示,三星有望在Galaxy S24上率先采用這一先進(jìn)的技術(shù)。事實(shí)上,三星在2023年第3季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,將在2024年開(kāi)始在Galaxy手機(jī)上引入智能終端技術(shù)。而在同年11月,三星發(fā)布了生成式AI模型三星高斯(Samsung Gauss),并宣布未來(lái)的AI手機(jī)將以智能終端技術(shù)為基礎(chǔ),支持實(shí)時(shí)翻譯通話等創(chuàng)新功能。
此外,最近三星還在歐盟智能財(cái)產(chǎn)局(EUIPO)、英國(guó)智能產(chǎn)權(quán)局(IPO)等機(jī)構(gòu)完成了AI Smartphone、AI Phone的商標(biāo)注冊(cè)程序。預(yù)計(jì)三星將在2024年1月17日的Galaxy Unpack活動(dòng)上正式發(fā)布Galaxy S24系列,屆時(shí)還將一同推出Galaxy Book 4系列。這一系列動(dòng)作顯示出三星在AI手機(jī)領(lǐng)域的積極探索和創(chuàng)新努力。
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