據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新報告顯示，得益于AI芯片需求的增長，三大DRAM原廠正加大力度推進HBM4產(chǎn)品的研發(fā)進度。然而，HBM4的I/O數(shù)量增加，芯片設計復雜度提高，導致所需晶圓面積擴大。此外，部分供應商轉(zhuǎn)向邏輯基底芯片架構(gòu)以提升性能，這些因素都將推高成本。考慮到HBM3e剛推出時溢價約20%，制造難度更高的HBM4溢價幅度可能超過30%。
最新數(shù)據(jù)顯示，英偉達的Rubin GPU和AMD MI400都將采用HBM4。相比上代產(chǎn)品，HBM4的I/O數(shù)量從1,024提升至2,048，數(shù)據(jù)傳輸速率維持在8.0Gbps以上，與HBM3e相當。這意味著在相同傳輸速度下，HBM4憑借更高的信道數(shù)量可實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸總量翻倍。
目前，HBM3e的base die采用內(nèi)存架構(gòu)，僅負責信號轉(zhuǎn)接。而SK海力士與三星的HBM4 base die將與晶圓代工廠合作，改為邏輯芯片架構(gòu)，整合HBM與SoC功能，不僅能加速數(shù)據(jù)路徑、降低延遲，還能在高速數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境下提升穩(wěn)定性。
TrendForce預測，到2026年，HBM市場總出貨量將突破300億Gb，HBM4市占率將隨著供應商逐步放量而逐季提升，預計在2026年下半年超越HBM3e系列產(chǎn)品，成為市場主流。在供應商表現(xiàn)方面，SK海力士將以超過50%的市占率穩(wěn)居領(lǐng)先地位，而三星與美光則需進一步提升產(chǎn)品良率與產(chǎn)能，才能縮小差距。

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