Golang 中的 io 包詳解：組合接口
io.ReadWriter// ReadWriter is the interface that groups the basic Read and Write methods.type ReadWriter interface { Reader Writer}是對Reader和Writer接口的組合，
臺積電在15日舉辦的2025年技術論壇上展示了多項關鍵技術創新與未來規劃。
在先進制程技術方面，臺積電推出了A14和A16工藝。A14將通過更強的運算能力和更高的能源效率加速AI發展，與N2制程相比，同功耗下速度提升15%，同速度下功率降低30%，邏輯密度增加超20%。A14計劃于2028年投產，搭載超級電軌技術的版本預計于2029年推出。A16則針對數據中心AI/HPC產品，提供背面供電技術和優化邏輯密度，計劃于2026年下半年量產。
2納米（N2）制程按計劃將于2025年下半年量產，256Mb SRAM的平均良率已超過90%。N2P預計于2026年下半年量產，與N3E相比，同功耗下速度提升18%，同速度下功率降低36%，邏輯密度增加1.2倍。N2X計劃于2027年量產，提供約10%的Fmax（最大時鐘頻率）。
此外，N3系列技術預計將成為高產量且長期生產的技術。截至2025年4月，已有超過70個新設計定案，N3E正為旗艦移動和HPC、AI產品高度量產；N3P將于2024年第四季度量產。N3X、N3C和N3A分別針對CPU、價值優先產品和汽車應用，其中N3A有望獲得AEC-Q100一級認證，預計2025年底生產就緒。
臺積電還在技術創新和產能擴展方面取得顯著進展。CFET設計被視為有前景的微縮技術，通過將nFET和pFET垂直堆疊，實現了近2倍的晶體管密度。臺積電還展示了基于2D材料的晶體管和堆疊納米片晶體管架構的電氣性能。
在3DFabric技術方面，SoIC平臺用于3D硅堆疊，SoIC-P和SoIC-X堆疊方案計劃于2025年量產。CoWoS技術針對HPC應用，整合先進邏輯和HBM，5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L技術預計于2026年推出，9.5倍光罩尺寸的CoWoS計劃于2027年量產。
臺積電的系統級晶圓（SoW）技術將邏輯和HBM晶圓級整合，滿足AI訓練對運算能力的需求。SoW-X計劃于2027年量產，其運算能力比現有CoWoS解決方案高40倍。特殊制程技術方面，臺積電提供首款HBM基礎裸晶，N12基礎裸晶解決方案已準備就緒，N3版本預計2025年底就緒。
為滿足AI應用需求，臺積電持續擴大先進制程產能。2025年，與AI相關產品的晶圓出貨量預計是2021年的12倍，大尺寸芯片產品出貨量預計是2021年的8倍。在先進封裝領域，2022年至2026年，SoIC產能年復合增長率將超100%，CoWoS產能年復合增長率將超80%。
臺積電預測，到2030年，全球半導體市場將達到1萬億美元，主要由高效運算（45%）、智能手機（25%）、汽車（15%）和物聯網（10%）等應用主導。
本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-150761-0.html臺積電：今年AI產品晶圓出貨量預計是2021年的12倍
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號