近期,美光成功向客戶供應第六代10納米級DRAM樣品,即1γ DRAM,速度較前一代提升15%,耗電量減少20%以上。這一進展使美光在DRAM市場上超越了三星電子。
據悉,三星原計劃在2024年末量產1c DRAM(線寬約11~12納米),但受良率問題困擾,量產可能推遲至2025年5月或更晚。為了應對挑戰,三星正在調整設計,計劃擴大芯片尺寸以提高良率和穩定性。
業界指出,三星在HBM3E量產時程上也落后于美光,若1c DRAM無法及時量產,將進一步影響其HBM4競爭力。為了量產1c DRAM,三星已開始進行設備投資,在平澤四廠下訂建設小規模產線的設備。
與此同時,SK海力士已在2024年8月完成1c DRAM研發,并表示已具備量產能力。SK海力士以1b DRAM的制程技術競爭力為基礎,在1c DRAM上具備更高的良率穩定性,有望領先業界正式量產。
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