三星電子(Samsung Electronics)等主要存儲器業者,為應對低迷景氣,2023年以來積極實施存儲器減產措施。不過據傳三星在DRAM領域已逐漸恢復生產,NAND Flash則在維持減產基調的同時,以改善高端產品良率為目標。
根據韓媒Alphabiz報導,三星自2023年9月初已恢復16納米(1z)DRAM生產,稼動率達100%,傳將以16納米DRAM出發,快速減少其他半導體產品的減產規模。
知悉三星的業界相關人士表示,三星認為半導體景氣已經觸底,因此以16納米DRAM恢復正常生產為起點,估計未來2~3個月內將采取半導體產能恢復措施。對此三星表示,相關消息無法確認,減產中斷和產量恢復相關問題,可在下次財報發布會議中正式確認。
三星曾于2023年第2季財報發布會議中預告,2023年下半將以NAND為中心擴大減產。即便上述DRAM恢復生產消息屬實,因NAND需求相較DRAM更加不振,估計不會那么快調整減產策略。韓媒ZD Net Korea便指出,三星在積極減產NAND的同時,將目標放在改善高端產品良率。
三星電子自2023年11月開始量產八代V-NAND,但據悉量產初期良率并不理想,2023年上半低于50%,目前則上升至60%左右。業界相關人士表示,三星八代V-NAND良率每個月皆持續上升,雖然尚未步入正常水準80~90%,但改善速度相當快。
責任編輯:張興民
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