石頭自清潔掃拖機器人G10S評測：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經常能看到一個詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結合在一起的產品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產品縫合的好、縫合的實用的話，那它就成了中性詞，今
12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商長鑫存儲（CXMT）近日出席在舊金山舉辦的第 69 屆 IEEE 國際電子器件會議（IEDM），發表了一篇論文，展示了環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術，適用于尖端 3nm 芯片。
注：專利中提及 GAA 技術適用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在內的 3nm 以下芯片，但這并不代表著長鑫存儲當前具備制造 3nm 的能力。
根據《南華早報》報道，長鑫存儲雖然沒有發布相關的樣品，但本次論文的發布，引發了行業分析師對該公司下一代內存的廣泛關注，表明長鑫在面對美國封鎖下，不斷加強自主芯片開發能力。
華邦電子的儲存芯片專家 Frederick Chen 表示，長鑫存儲的進展令人印象深刻，因為代表這家公司達不斷追趕，縮小在技術方面的差距。
長鑫存儲發表聲明稱，該論文描述了與 DRAM 結構和 4F2 設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲當前的生產工藝無關，暗示該設計紙張還遠未成為一種適銷對路的產品。
長鑫存儲兩周前發布，已生產出大陸首款低功耗雙倍資料速率 5（LPDDR5）DRAM 芯片，縮小了與韓國三星和 SK 海力士等領先廠商的差距。
本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-24-45519-0.html突破封鎖！長鑫存儲發布 GAA 技術相關論文，適用于 3nm 芯片
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號