快科技6月27日消息,近日,科學家們研發(fā)出一種新型單分子磁體,有望將硬盤存儲容量提升至現(xiàn)有水平的100倍。
這一技術(shù)成果由英國曼徹斯特大學和澳大利亞國立大學(ANU)的化學家共同完成,并在《自然》雜志上發(fā)表。
目前的硬盤存儲技術(shù)通過磁化由大量原子組成的區(qū)域來存儲數(shù)據(jù),而單分子磁體則可以單獨存儲數(shù)據(jù),無需依賴鄰近分子,這種特性為實現(xiàn)超高密度數(shù)據(jù)存儲提供了可能。
但單分子磁體的使用一直面臨冷卻難題,因為它們需要極低的溫度才能運行,這使得其在實際應用中幾乎不可能實現(xiàn)。
此次研發(fā)的新型分子在100開爾文(約零下173攝氏度)的溫度下仍能保持其記憶功能,雖然這一溫度仍然很低,但相比之前80開爾文(約零下193攝氏度)的記錄,已經(jīng)是一個巨大的進步。
更重要的是,這一溫度遠高于液氮(零下196攝氏度)的溫度,而液氮是一種可以在數(shù)據(jù)中心廣泛可用的冷卻劑,這意味著新型單分子磁體在數(shù)據(jù)中心的應用變得更加可行。
據(jù)通訊作者尼古拉斯·奇爾頓教授介紹,這種新型分子有望帶來新的技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)每平方厘米存儲約3TB數(shù)據(jù)的存儲密度。
新型磁體的獨特結(jié)構(gòu)包含稀土元素鏑,它被兩個氮原子夾在中間,形成幾乎直線的結(jié)構(gòu),此前這種配置通常會形成不規(guī)則的形狀,而研究人員使用一種烯烴“像分子別針一樣”將結(jié)構(gòu)固定成直線。
報道稱,該分子現(xiàn)在將作為該領域進一步發(fā)展的藍圖,理論上能夠?qū)崿F(xiàn)工作在更高溫度下的更好分子磁體。
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