快科技2月26日消息,中國廠商向三星授權存儲關鍵技術專利,這一幕真是讓人感嘆。
之前韓國媒體報道稱,三星電子近日與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了專利許可協議,將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利,該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術。
這引發了外界的熱議,而為什么在存儲上遙遙領先的三星,要獲得長江的授權呢?
有行業人士表示,由于工藝流程問題,三星難以規避中國企業的專利,獲取授權是必然,未來的競爭可能會非常激烈。
三星此次獲取長江存儲專利授權,將主要用于下一代(V10)閃存芯片開發上,這代芯片計劃于今年下半年量產,堆疊層數將達到420層-430層。
為了讓V10芯片盡快量產,三星引入了多項新技術,晶圓和晶圓之間的混合鍵合“至關重要”。
三星之所以這么看重這項技術,是因為“混合鍵合”技術省去了傳統芯片連接所需的凸塊,縮短了電路,并提高了存儲性能和散熱特性,“特別是晶圓之間的混合鍵合,它鍵合的是整個晶圓而不是芯片,在提高生產效率方面也具有優勢”。
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