7月安卓手機性能榜：紅魔8S Pro再奪榜首
7月份的手機市場風平浪靜，除了紅魔和努比亞帶來了兩款搭載驍龍8Gen2領(lǐng)先版處理器的新機之外，別的也想不到有什么新品了，這也正常，通常6月7月都是手機廠商修整的時間，進入8月份之
8月9日消息，天眼查顯示，近日華為技術(shù)有限公司新增多條專利信息，其中一條發(fā)明專利名稱為“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設備”，公開號為CN116504752A。
該專利涉及的技術(shù)領(lǐng)域為芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設備，該技術(shù)將被用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝。
該專利也是再次引起了一些用戶的討論，什么華為可以將兩塊14nm制程芯片堆疊在一起，實現(xiàn)與7nm制程芯片相似的性能和功耗，而類似的說法華為官方已經(jīng)多次證實是假消息。
需要注意的是，通過芯片疊加工藝讓兩塊14nm芯片達到7nm水平說法本身就是錯誤。芯片堆疊技術(shù)方案難題包含了，熱管理、電氣互聯(lián)、封裝和測試、制造技術(shù)等等，想要完成這些并非易事。
此外，兩款14nm芯片疊加一起，還要功耗跟7nm相當，暫且說可以組合，這樣實現(xiàn)后也是通過降頻。要知道，14nm芯片達到7nm的性能水平就必須功耗翻倍，同時還得進一步擴大芯片面積才能塞下更多的晶體管，這顯然脫離了芯片發(fā)展規(guī)律。
再來說功耗，7nm芯片功耗基本在7W左右，14nm芯片想要保持跟前者的性能，然后功耗就至少要翻一倍，如果兩款疊加，那......
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