快科技10月5日消息，據媒體報道，臺積電（TSMC）在2nm制程節點上取得了重大突破，將首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術。此外，N2工藝還結合了NanoFlex技術，為芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

相較于當前的N3E工藝，N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升15%，這標志著臺積電在半導體技術領域的又一次飛躍。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

然而，伴隨著技術的升級，成本也相應攀升。據預測，臺積電每片300mm的2nm晶圓價格可能突破3萬美元大關，高于早先預估的2.5萬美元。相比之下，當前3nm晶圓的價格區間約為1.85萬至2萬美元，而4/5nm晶圓則徘徊在1.5到1.6萬美元之間。顯然，2nm晶圓的價格將出現顯著增長。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

面對市場對2nm工藝技術的強烈需求，臺積電正不斷加大對該制程節點的投資力度。2nm晶圓廠將在中國臺灣的北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）三地布局，以確保產能滿足市場需求。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

新工藝的引入意味著更多的EUV光刻步驟，甚至可能采用雙重曝光技術，這無疑將進一步提升生產成本，使其高于3nm制程節點。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

臺積電已規劃N2工藝于2025年下半年正式進入批量生產階段，預計客戶快可在2026年前收到首批采用N2工藝制造的芯片。而首個嘗鮮這一先進工藝的客戶，很可能是科技巨頭蘋果。bkV28資訊網——每日最新資訊28at.com

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