讓我們一起聊聊文件的操作
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快科技9月12日消息，半導體巨頭英飛凌科技近日宣布，公司已成功研發出全球首款300毫米（約12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術。
與現有的200毫米晶圓相比，300毫米晶圓技術意味著在單個晶圓上可以制造更多的芯片，從而提高了生產效率和規模經濟。
這一技術進步不僅能夠增加每晶圓的芯片產量，達到2.3倍，同時也有助于降低生產成本，使得氮化鎵技術更加經濟高效。
氮化鎵功率半導體因其在效率、尺寸和重量方面的優勢，在工業、汽車、消費電子、計算和通信應用中得到快速采用。
據悉，英飛凌將在2024年11月在慕尼黑舉行的電子展上展示其300毫米GaN技術。
公司已經在奧地利菲拉赫的功率工廠成功制造了300毫米GaN晶圓，并計劃根據市場需求進一步擴大產能。
英飛凌科技股份公司首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創新實力和全球團隊專注工作的結果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統創新領導者的地位。這項技術突破將改變行業游戲規則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。”
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